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硅单芯片为衬底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得的立方体结构的SiC。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-SiC。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度（近乎硅的1-2倍）及较高的压阻系数的特性；因此，SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质。非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用。 由于SiC单晶体材料成本高，硬度大及加工难度大，所以硅单晶片为衬底的SiC薄膜就成为研究和使用的理想选择。通过离子注入，化学气相淀积（VCD）等技术，将其制在Si衬底上或者绝缘体衬底（SiCOI）上，供设计者选用。例如航空发动机、火箭、及等耐热腔体及其表面部位的压力测量，便可选用以绝缘体为衬底的SiC薄膜，作为感压元件（膜片），并制成高温压力微传感器，实现上述场合的压力测量。测压时的工作温度可达到600℃以上。

除使用单晶SiC(Single)薄膜外,在MEMS的许多应用

除使用单晶SiC（Single-SiC）薄膜外，在MEMS的许多应用场合，还可选用多晶SiC(Poly-SiC)薄膜。与单晶SiC薄膜相比，多晶SiC的适用性更广。它可以在多种衬底（如单晶硅、绝缘体、SiO2牺牲层及非晶硅等）上，采用等离子体强化气相淀积，物理溅射、低压气相淀积及电子束等技术生长成薄膜，供不同场合选择使用。 总之，SiC是一种具有优良性质的材料，具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高电子饱和速度及优良的力学和化学性能。这些特性使SiC材料适合制造高温、高功率及高频率电子器件时选用；也适合制造高温半导体前室压力传感器报价时选用。