前室压差控制器货源推荐诚信企业推荐 春志空调设备厂家

主要技术参数：

量    程：0～100PA

耐    压：1000Pa

动作压力：电梯前室/走道：30Pa，(复位压力：25Pa)；

         楼梯间/走道：50Pa，(复位压力：40Pa)；

工作温度：-20 ～ 85℃

过程连接：高压和低压孔均为6mm，

长管嘴(-):连接到低压端

短管嘴(+):连接到高压端

控制器寿命: 10万次

电气等级:  24 VDC /0.3A

切 换 率: *大6次/分钟

外形尺寸：172*112*60

重    量: 360g

硅单芯片为衬底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一种在特殊环境下使用的化合物半导体。它由碳原子和硅原子组成。利用离子注入掺杂技术将碳原子注入单晶硅内，便可获得的立方体结构的SiC。随着掺杂浓度的差异得到的晶体结构不同，可表示为β-SiC。β表示不同形态的晶体结构。用离子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化学及电学特性优异，表现出高强度、大刚度、内部残余应力很低、化学惰性极强、较宽的禁带宽度（近乎硅的1-2倍）及较高的压阻系数的特性；因此，SiC材料能在高温下耐腐蚀、抗辐射，并具有稳定的电学性质。非常适合在高温、恶劣环境下工作的微机电选择使用。 由于SiC单晶体材料成本高，硬度大及加工难度大，所以硅单晶片为衬底的SiC薄膜就成为研究和使用的理想选择。通过离子注入，化学气相淀积（VCD）等技术，将其制在Si衬底上或者绝缘体衬底（SiCOI）上，供设计者选用。例如航空发动机、火箭、及等耐热腔体及其表面部位的压力测量，便可选用以绝缘体为衬底的SiC薄膜，作为感压元件（膜片），并制成高温压力微传感器，实现上述场合的压力测量。测压时的工作温度可达到600℃以上。